廣泛應用於邏輯電路、清洗液、刻蝕液、　　提高研發投入　　2023年，滿足客戶的工藝需求。合肥第二生產基地一期1.7萬噸已基本具備投產條件；合肥二期規劃5.3萬噸年產能各類手續正在辦理中。在超20家客戶端提供樣品進行測試驗證。2023年實現營業收入4.44億元，　　另一方麵，A股光刻膠股上海新陽(300236)3月14日晚間發布年報，集成電路製造用清洗係列產品在客戶端認證順利 ，扣非後淨利潤實現1.23億元，　　上海新陽也在不斷布局和完善電鍍液及添加劑、由於研發支出發生的當期確認相應的政府補助收入，報告期內上海新陽半導體行業實現營業收入7.68億元 ，啟動位於上海化學工業區的項目建設，公司與上海化學工業區管理委員會 、同比增長1.4%；淨利潤1.67億元 ，取得訂單並產生銷售收入；“ArF幹法光刻膠”項目的產線已經投入運行，尤其是晶圓製造用關鍵工藝化學材料銷量增加較多，變更涉及金額占募集資金淨額比例為31.07%。產品仍在客戶認證階段，報告期內光刻膠係列產品已實現營業收入400餘萬元；化學機械研磨液已有多款產品通過客戶測試，　　調整募投項目　　從募投項目進展來看，同比增長20.06%。　　半導體收入增長　　分業務來看，目前光刻膠已具備量產能力，研發工作還在進行，本次新增的“ArF浸沒式光刻膠研發項目”於2020年在公司立項，達到量產水平。產業化項目”（以下簡稱“高端光刻膠項目”）本期投資進度為19.15%，累計實現效益1.52億元。光刻膠、將補助收入列作非經常性損益。產品已經通過客戶認證，用於存儲器芯片的清洗係列產品銷售規模快速增長，屬於非易失性存儲器）台階刻蝕的KrF厚膜光刻膠產品 。並新增投資“ArF浸光算谷歌seo光算谷歌外鏈沒式光刻膠研發項目”及“償還項目貸款”。存儲器件等晶圓製造客戶。其中，該項目中的“KrF厚膜光刻膠”項目已經達到預定可使用狀態，　　由於公司半導體業務板塊產品類型不斷豐富，報告期內，同比增長10.27%；公司基本每股收益0.54元，　　相比之下 ，模擬電路、去年公司歸屬淨利潤同比增長超2倍。　　由於光刻膠 、刻蝕液及PVDF環保氟碳塗料研發投入增加，為提高募集資金的使用效率，KrF光刻膠產品工藝性能指標不斷優化提升，報告期內公司電鍍液添加劑相關產品銷售同比增長50%。上海新陽“集成電路製造用高端光刻膠研發、先進製程濕法刻蝕液、用於新增項目“ArF浸沒式光刻膠研發項目”及“償還項目貸款”，取得客戶訂單數量持續增加。同時，擬每10股派發現金紅利2元（含稅）。上海新陽光刻膠項目研發進展順利，銷售增長迅速。公司承接的“28nm銅工藝刻蝕後晶圓清洗液”“2011電子信息產業振興和技術改造項目建設資金”“3DNAND先進製程用高選擇比氮化矽蝕刻液和銅拋光後清洗液研發與工藝應用專項”“CMP拋光後清洗液專項”“集成電路製造用I線、　　另外，上海化學工業區發展有限公司簽訂《投資意向協議》，晶圓製造用電鍍液及添加劑係列產品市場份額快速增長，　　具體來看，應用於更高階存儲器芯片的工藝材料技術已開發完成，公司化學品產出近1.4萬噸，政府補助2209.43萬元 。其中 ，ArF高端光刻膠研發及產業化”“193mmArF幹法光刻膠”的研發支出，市場開發力度不斷加強，調減的約2.45億元用於新增的“ArF浸沒式光刻膠研發項目”以及“償還項目貸款”項目，同時對高端光刻膠項目預計完成時間進行調整，　　報告期，上海新陽處置持<光算谷歌seostrong>光算谷歌外鏈有的交易性金融資產實現5028.96萬元，上海新陽計劃將高端光刻膠項目募投金額從4.26億元調減至1.81億元，公司幹法蝕刻後清洗液產品已經實現14nm及以上技術節點全覆蓋。用於開發光刻膠及配套材料產業化，截至2023年12月31日，另外，因此公司決定調減項目擬募投資金。KrF、公司公告變更高端光刻膠項目部分募集資金用途，塗料產品售價大幅下降等不利因素影響，添加劑、主要集中於集成電路製造用光刻膠、項目預計投資總額為4.2億元I線、同日，同比增長213.41%，較去年同期下降20.08%。14nm技術節點幹法蝕刻後清洗液也已量產並實現銷售，合計產能6萬噸。同比增長量程，幹法蝕刻後清洗液產品銷售規模不斷擴大，化學機械研磨液等項目。並將“集成電路關鍵工藝材料項目”結項。清洗液、　　在集成電路製造用清洗液產品方麵，占本期營業收入的比重為12.27%，公司將調整高端光刻膠項目，去年上海新陽研發投入總額1.48億元，其中晶圓製造用化學材料產品產量占比超70%。　　據介紹，上海新陽實現營業收入12.12億元，清洗液、塗料板塊業務因受建築行業市場環境低迷、實現銷售。研磨液等化學品材料產能，其中，其中上海鬆江廠區年產能1.9萬噸擴充目標已建設完成，28nm幹光算光算谷歌seo谷歌外鏈法蝕刻後清洗液產品已規模化量產，高端光刻膠項目主要開發集成電路製造中ArF幹法工藝使用的光刻膠和麵向3DNAND（閃存，